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エネルギー・環境【パワーエレクトロニクス】
SiC低損失パワーデバイスの実現に向けて次世代パワエレの主役 SiC 低損失パワー半導体（ウェハ）●● パワーデバイスのさらなる低抵抗化に資する SiC バルク成長技術を開発●●インゴット切断からCMP 研磨までを世界最速で行うウェハ加工技術を実現●●デバイス性能の向上に資する低オフ角エピウェハの技術を開発 昇華法を用いた高品質・高速SiCバルク成長技術N型結晶で従来比1/3に低抵抗化成長速度を従来比2倍にするSiC粉末原料TTV:1.5μmSORI：11μm SiC結晶ウェハ化技術（切断・研削・研磨）６インチウェハの切断からCMP研磨までを１０時間未満で加工する超高速ウェハ加工 低オフ角エピタキシャル成長技術Si面、C面の両面極性において2°オフ並びに1°以下の微傾斜基板上へのSiCのエピタキシャル成長 デバイス開発等各種研究開発支援のためのSiCエピタキシャルウェハ提供 ウェハ評価プラットホームを使用したSiCウェハグレーティング● 関連技術分野：パワーエレクトロニクス、パワー半導体、SiC、結晶成長、精密加工● 連 携 先 業 種：製造業（電気機器）、製造業（非鉄金属）、製造業（化学）、製造業（精密機器）、製造業（機械）
