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エネルギー・環境【パワーエレクトロニクス】

SiCパワーデバイスによる次世代パワエレ実現
SiCパワーデバイスによる次世代パワエレ実現次世代パワエレの主役 SiC 低損失パワー半導体(デバイス)●● 電力エネルギー変換の中心技術であるインバータ技術を革新●● ハイブリッド自動車、 産業用モーターの小型・低損失化●● 10 kV 超デバイスによるスマートグリッド、 直流送電への応用研究のねらい・研究内容・SiCパワー半導体デバイスで電力変換損失を大幅に削減。・3.3 kV耐電圧のパワートレンチMOSFETにおいて、世界最小のオン抵抗を実現。→電車の消費電力の大幅削減・16 kV以上の耐電圧と低損失性を併せ持つIGBTを実現。→全国の電力送配電網の高効率化、スマート化。SiC-トレンチMOSFETの断面と特性比較SiC理論限界(実線)に最も近い特性を示す連携可能な技術・知財・SiC各種パワーデバイスの設計・SiCデバイスプロセス開発支援・SiCデバイスチップの試供(ダイオード、MOSFET、等)・高信頼・高性能ゲート酸化膜形成技術・SiCパワーIC化要素技術通電状態で観測されたIGBT動作を示す発光と16 kV SiC-IGBTの6.5 kV, 60 Aスイッチング特性● 関連技術分野:パワーエレクトロニクス、パワー半導体、SiC、デバイス設計、半導体プロセス● 連 携 先 業 種:製造業(電気機器)、製造業(化学)、製造業(精密機器)、製造業(機械)、製造業(輸送用機器)