小型化・低損失な電力変換技術を可能とする高周波応用に優れた GaN 低損失パワー半導体●● 高速スイッチングが可能な AlGaN/GaN HEMT の開発●● 低コスト化が可能な Si 基板上への GaN 成長技術開発●● GaN 単結晶基板上への高品質 GaN 結晶成長技術開発ドレイン用パッド革新的省エネルギー社会をめざし、 ゲート用GaNパワーデバイスの性能向上と、 パッドその実用化のための技術開発を行っています。素子実際の回路でどのように使われるのが最も効果的かなど、実際の応用ソース用パッドを想定して研究開発を行う方針です。等価回路実験チョッパー回路Drain Current Id [A]スイッチング波形2.0ExperimentSimulation7060501.5401.030200.50.01010 ns/div0Drain-Source Voltage Vds [V]2.5スイッチング波形の計算● 関連技術分野：パワーエレクトロニクス、パワー半導体、GaN、デバイス設計、半導体プロセス● 連 携 先 業 種：製造業（電気機器）、製造業（非鉄金属）、製造業（化学）、製造業（精密機器）、情報・通信業
