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エネルギー・環境【パワーエレクトロニクス】

新材料パワー半導体ツールボックスの提供
新材料パワー半導体ツールボックスの提供高効率電力利用の切り札 次世代パワーエレクトロニクス●●シリコン(Si) に代わるワイドギャップ半導体 (SiC、GaN、C) ウェハ / パワー素子●● 半導体材料から素子開発、 応用機器までの一貫研究体制での研究開発●● 高効率の電力利用を可能とする電力変換器(インバータ、 電力系統制御等)ワイドギャップ半導体パワーエレクトロニクスの一貫研究・材料から、デバイス、回路モジュール実装、応用システムまでの統合技術・半導体材料が変わるとすべてが変わる ⇒ 長期的取組の必要性・1970年代からのワイドギャップ半導体関連研究開発の実績・技術開発拠点としてのハブ機能(大型の企業共同研究、公的プロジェクト)SiC粉末インゴット結晶成長液相法のSiに対して昇華法(~2200 ℃)プロセスバルクウェハ切断・研削・研磨ダイヤモンドの次に固いエピタキシャル(エピ)ウェハ原料ガスからの薄膜成長従来より高温(1600~1800 ℃)の成膜プロセスデバイス化プロセス高温プロセス(~2000℃)インバータデバイス回路構造設計/組み立て高温(~250 ℃)/高速/高電圧実装技術デバイスチップチップ切断、結線、耐熱モールド(トランジスタ、回路設計(寄生パラメータ削減)ダイオードなど)6cm8cm9cmダイヤモンドウェハGaNデバイス● 関連技術分野:パワーエレクトロニクス、パワー半導体、エネルギーマネージメント、省エネルギー● 連 携 先 業 種:製造業(電気機器)、製造業(非鉄金属)、製造業(化学)、製造業(機械)、電気・ガス・水道業