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エネルギー・環境【パワーエレクトロニクス】
新材料パワー半導体ツールボックスの提供高効率電力利用の切り札 次世代パワーエレクトロニクス●●シリコン(Si) に代わるワイドギャップ半導体 (SiC、GaN、C) ウェハ / パワー素子●● 半導体材料から素子開発、 応用機器までの一貫研究体制での研究開発●● 高効率の電力利用を可能とする電力変換器（インバータ、 電力系統制御等）ワイドギャップ半導体パワーエレクトロニクスの一貫研究・材料から、デバイス、回路モジュール実装、応用システムまでの統合技術・半導体材料が変わるとすべてが変わる ⇒ 長期的取組の必要性・1970年代からのワイドギャップ半導体関連研究開発の実績・技術開発拠点としてのハブ機能（大型の企業共同研究、公的プロジェクト）SiC粉末インゴット結晶成長液相法のSiに対して昇華法（～2200 ℃）プロセスバルクウェハ切断･研削・研磨ダイヤモンドの次に固いエピタキシャル（エピ）ウェハ原料ガスからの薄膜成長従来より高温(1600～1800 ℃)の成膜プロセスデバイス化プロセス高温プロセス(～2000℃)インバータデバイス回路構造設計／組み立て高温(～250 ℃)／高速／高電圧実装技術デバイスチップチップ切断、結線、耐熱モールド（トランジスタ、回路設計（寄生パラメータ削減）ダイオードなど）6cm8cm9cmダイヤモンドウェハGaNデバイス● 関連技術分野：パワーエレクトロニクス、パワー半導体、エネルギーマネージメント、省エネルギー● 連 携 先 業 種：製造業（電気機器）、製造業（非鉄金属）、製造業（化学）、製造業（機械）、電気・ガス・水道業
